半导体结实验室
5.0 V
R 1000 Ω
|Si
工作点电压0.675 V
工作点电流4.33 mA
结功耗2.92 mW
结温 / 热电压25.0 °C 25.69 mV
DIODE & LOAD LINE硅 PN 结 · 25 °C
反向饱和电流2.00 nA
二极管 I-V负载线Q 工作点
Shockley PN 结与串联限流模型。自热模式采用 42 °C/W 的教学等效热阻并设有 247°C 数值安全上限；不代表具体封装额定值。
Shockley PN 结与串联限流模型。自热模式采用 42 °C/W 的教学等效热阻并设有 247°C 数值安全上限；不代表具体封装额定值。